参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | BSB012N03LX3 G |
说明 | 未分类 MG-WDSON-2,CanPAKM™ 3-WDSON |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 290 [库存更新时间:2025-04-11] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 39A(Ta),180A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 169nC @ 10V |
栅极电压Vgs | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 16900pF @ 15V |
功率 | 2.8W(Ta),89W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2 毫欧 @ 30A,10V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | MG-WDSON-2,CanPAK M™ |
封装/外壳 | 3-WDSON |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 15V |